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晶圆1N60高压Mos规格
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产品: 浏览次数:76晶圆1N60高压Mos规格 
单价: 面议
最小起订量: 1000 个
供货总量: 100000000 个
发货期限: 自买家付款之日起 3 天内发货
有效期至: 长期有效
最后更新: 2013-02-19 10:32
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详细信息
 产品参数:
   电流:1.2A                   电压:650V~700V
   电阻:5.9Ω~11.8Ω           种类:绝缘栅(MOSFET)
   沟道类型:N沟道              导电方式:增强型
   用途:L/功率放大             材料:N-FET硅N沟道
   开启电压: 650(V)          夹断电压: 标准(V) 
   跨导: 标准(μS)           极间电容: 标准(pF) 
   低频噪声系数: 标准(dB)    最大漏极电流: 标准(mA) 
   最大耗散功率: 标准(mW)    最大结温:150 ℃
   常有封装:TO-92 TO-251,TO-252
本公司还推出新品Smc2153s完美替换IR2153、IT2153
 500V高压Mos管荧光灯电源专用Mos,公司最新产品Smc2153s上市。替代IRF2153与IR2520 
 我司原厂500V晶圆通常余量留有10%能完全替代市面上8N60晶圆产品,为各大厂商降低成本!
  品质保证,信誉第一,欢迎惠顾
  以上是我公司产品部分型号,另需求可在线咨询 
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