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（1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS来控制ID；
（2）场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大。
（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；
（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；
（5）场效应管的抗辐射能力强；
（6）由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低
产品功能：
功率MOSEFT—2N65 2A，650V N沟道
2N65功率MOS场效应管采用先进的高压DMOS工艺技术。这种先进工艺使器件具有优良的特性，如极快 的开关速度，极低栅电荷，最小化的导通电阻以及极强的雪崩击穿特性。这种器件非常适合于高效开关电源， DC/DC转换器，PWM马达控制和桥式驱动电路等。
产品参数：
电流：2A 电压：650V~700V
电阻：4Ω 种类：绝缘栅(MOSFET)
沟道类型：N沟道 导电方式：增强型
用途：L/功率放大 材料：N-FET硅N沟道
开启电压： 650（V） 夹断电压： 标准（V）
跨导： 标准（μS） 极间电容： 标准（pF）
低频噪声系数： 标准（dB） 最大漏极电流： 标准（mA）
最大耗散功率： 标准（mW） 最大结温：150 ℃
常有封装：TO-92 TO-251，TO-252
本公司还推出新品Smc2153s完美替换IR2153、IT2153