GEMS Psibar® CVD 型压力变送器

上海兆茗电子科技有限公司优价销售GEMS Psibar® CVD 型压力变送器
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GEMS Psibar® CVD 型压力变送器
Gems 压力产品满足您对优越压力测量性能和长期可靠性的应用需求。从真空到 10,000 psig (-1 ~ 689 bar)，GEMS提供您多种技术、最丰富的工业选型。电容传感器是大批量使用场合的理想选择；溅射薄膜技术是您可以获得的最高精度的压力传感器，同时GEMS也提供其他技术的传感器。丰富的类型满足以下应用。

GEMS Psibar® CVD 型压力变送器
化学气相沉积工艺将多晶硅层以分子级键合于不锈钢膜片上，使得传感器具有优异的长期稳定性表现。批量化半导体生产工艺带来了价格合理而性能极佳的多晶硅应变式压力核心元件。CVD 结构提供了具有竞争力的价格和性能, 使GEMS的压力变送器在OEM 应用中广受欢迎。
溅射薄膜型 压力变送器
溅射薄膜沉积工艺造就了优秀的非线性、迟滞和重复性性能。精度高于 0.08% 满量程，长期稳定性最低每年 0.06% 满量程。优良性能使GEMS的压力变送器适用于最苛刻的仪器。
电容型 压力变送器
Gems 生产针对 OEM 特殊应用的多种量程的电容式压力传感器。根据两个表面间电容的变化，Gems 变送器可以检测极低的压力或真空。坚固的结构适合于各种不同应用场合。该类型压力变送器采用先进的 ASIC 芯片, 具有极高的性价比。
MMS 型 压力变送器
采用微加工硅膜片检测压力的变化.硅膜片由充油的 316SS 隔离膜片保护，并与过程介质隔离。紧凑型尺寸的MMS 传感器采用成熟的半导体技术,具有高过压、非线性小、耐热冲击、高稳定性等特点。

GEMS Psibar® CVD 型压力变送器
产品特点：
杰出的重复性、可靠性
传感器量程从真空至 10,000 psi (-1 至 689 bar)
多种传感器科技：
化学气相沉积
溅射薄膜
电容式
MMS。

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